
PRODUCT CLASSIFICATION
更新時(shí)間:2026-01-15
瀏覽次數(shù):26管式多溫區(qū)實(shí)驗(yàn)爐是管式實(shí)驗(yàn)爐的進(jìn)階機(jī)型,核心特點(diǎn)是在一根爐管上劃分出 2~5 個(gè)獨(dú)立控溫區(qū)域,每個(gè)溫區(qū)配備單獨(dú)的加熱元件與溫控系統(tǒng),可實(shí)現(xiàn)爐管內(nèi)軸向梯度溫度分布或分段精準(zhǔn)控溫,適配材料科學(xué)、半導(dǎo)體、冶金等領(lǐng)域的差異化熱處理需求。
一、核心結(jié)構(gòu)與工作原理
分段式加熱結(jié)構(gòu)
爐體沿軸向被分割為多個(gè)獨(dú)立溫區(qū),每個(gè)溫區(qū)配備專屬加熱元件(電阻絲、硅碳棒、硅鉬棒等,可按需混搭)和保溫層,溫區(qū)間采用隔熱擋板分隔,減少熱量串?dāng)_,確保各溫區(qū)溫度獨(dú)立可控。
例如:3 溫區(qū)管式爐可實(shí)現(xiàn)高溫段(1200℃)- 中溫段(800℃)- 低溫段(500℃) 的梯度分布。
多通道溫控系統(tǒng)
配備多通道溫控儀,每個(gè)溫區(qū)對(duì)應(yīng) 1 組熱電偶與 PID 控制回路,支持獨(dú)立設(shè)定升溫速率、保溫溫度、保溫時(shí)間、降溫速率,可通過程序編輯實(shí)現(xiàn)復(fù)雜的溫度曲線組合,滿足階梯式、梯度式熱處理工藝要求。
氣氛與爐管適配
爐管材質(zhì)根據(jù)溫區(qū)溫度選擇(石英管≤1200℃、剛玉管≤1600℃、合金管 / 石墨管適配真空 / 超高溫場(chǎng)景),兩端法蘭密封,支持通入惰性、還原性、氧化性氣氛或抽真空,與普通管式爐的氣氛控制邏輯一致。
二、核心優(yōu)勢(shì)
溫度梯度精準(zhǔn)可控
可在爐管內(nèi)構(gòu)建穩(wěn)定的軸向溫度梯度場(chǎng),梯度差可調(diào)節(jié)(如 50~200℃/cm),解決普通單溫區(qū)管式爐 “全管同溫" 的局限性。
一次實(shí)驗(yàn)多參數(shù)驗(yàn)證
同一批次試樣放置在不同溫區(qū),可同時(shí)完成不同溫度下的熱處理實(shí)驗(yàn),大幅縮短工藝探索周期,降低試樣與能耗成本。
適配梯度熱處理工藝
滿足材料 “一端高溫反應(yīng)、另一端低溫保溫" 的特殊需求,例如半導(dǎo)體晶圓的分區(qū)摻雜、復(fù)合材料的梯度燒結(jié)。
三、典型應(yīng)用場(chǎng)景
材料梯度性能研究
金屬 / 陶瓷基復(fù)合材料的梯度燒結(jié),制備成分與性能沿軸向漸變的功能材料。
納米材料的溫度依賴性實(shí)驗(yàn),探究不同溫度對(duì)晶粒生長(zhǎng)、晶相轉(zhuǎn)變的影響規(guī)律。
半導(dǎo)體與電子材料工藝
硅片、化合物半導(dǎo)體的分區(qū)退火,實(shí)現(xiàn)局部摻雜激活或缺陷修復(fù)。
薄膜材料的梯度沉積,通過溫區(qū)溫度差調(diào)控薄膜的厚度與結(jié)晶度。
催化材料與能源材料研發(fā)
催化劑的梯度活化實(shí)驗(yàn),篩選活性溫度區(qū)間。
鋰電正極材料的分段熱處理,優(yōu)化材料的電化學(xué)性能。
高校與科研院所的多參數(shù)實(shí)驗(yàn)
適用于材料科學(xué)相關(guān)課題的批量工藝探索,提升實(shí)驗(yàn)效率與數(shù)據(jù)豐富度。
四、選型關(guān)鍵參數(shù)
溫區(qū)數(shù)量與尺寸:常見 2/3/4 溫區(qū),需匹配試樣長(zhǎng)度;單溫區(qū)長(zhǎng)度通常為 100~300mm,溫區(qū)間隔熱寬度≥50mm。
各溫區(qū)溫度:支持不同溫區(qū)配置不同加熱元件(如高溫區(qū)用硅鉬棒,低溫區(qū)用電阻絲)。
溫度均勻性與梯度穩(wěn)定性:?jiǎn)螠貐^(qū)溫差≤±3℃,梯度場(chǎng)穩(wěn)定時(shí)間≥2h(保障實(shí)驗(yàn)重復(fù)性)。
氣氛兼容性:明確是否需要真空或腐蝕性氣氛,匹配對(duì)應(yīng)的爐管材質(zhì)與密封結(jié)構(gòu)。
企業(yè)名稱:鄭州安晟科學(xué)儀器有限公司
聯(lián)系電話:18037316198/13384034244/18037316568
公司地址:鄭州市金水區(qū)博頌路20號(hào)
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